Call for Papers l Anwenderforum Leistungshalbleiter
22. - 23. November 2023 | München

Leistungshalbleiter sind Schlüsselkomponenten in jeder Art von Netzteilen, DC-DC-Wandlern oder Wechselrichtern. Doch der Markt für MOSFETs, IGBTs und Power-Module ist extrem heterogen. Es gibt eine Vielzahl von Herstellern, die solche Bauelemente in einer schier unüberschaubaren Vielfalt anbieten. Hinzu kommen die neuen Wide-Bandgap-Halbleiter wie Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN).

Neben den diskreten Komponenten kommen noch integrierte Bauteile wie Power-Module oder Power-SiPs (System in Package). Wie soll sich der Leistungselektronik-Entwickler in diesem Dschungel zurechtfinden und den für seine Anwendung am besten geeigneten Leistungshalbleiter und die dafür passende Topologie identifizieren? Was sind die Vor- und Nachteile der verschiedenen Lösungen mit den verschiedenen Leistungshalbleitern?

Eine weitere große Herausforderung ist derzeit, dass die Lieferzeiten und Bauteilepreise dramatisch gestiegen sind. Was können technische Einkäufer und Entwickler tun, um mit dieser Situation umzugehen?

Das Anwenderforum Leistungshalbleiter, das Markt&Technik und Design & Elektronik am 22. und 23. November 2023 veranstalten, soll Entwicklern und technischen Einkäufern im Bereich Leistungselektronik Orientierung geben.

Die Konferenz vermittelt wichtige Grundlagen und Anwendungshinweise zu MOSFET & Co.  Reicht ein Superjunction-MOSFET für die angestrebte Anwendung aus, oder ist es sinnvoller, auf GaN- oder SiC Transistoren umzusteigen? Wird der ausgewählte Treiber-IC auch mit anderen Leistungshalbleiter Technologien arbeiten? Welche Abweichungen von den Angaben im Datenblatt sind zu erwarten?  Welche Faktoren sind für eine qualifizierte Vorauswahl entscheidend und welche weiteren Fragen an die Hersteller erleichtern die Entscheidungsfindung und Beschaffung?

Wir freuen uns auf Ihre Vorschläge. Die folgenden Themen dienen als Anregung:

• Arten von Leistungshalbleitern (Silizium-MOSFET und -IGBT, sowie SiC- und GaN-Transistoren)
• Vor- und Nachteile der einzelnen Arten
• Ausfallmechanismen, Robustheit, Zuverlässigkeit und Alterung
• Aufbau- und Verbindungstechnik für diskrete Leistungshalbleiter und Power-Module
• Gehäusebauformen mit ihren jeweiligen Vor- und Nachteilen
• Montage und Anschlusstechnik
• Thermisches Management (innerhalb und außerhalb des Gehäuses)
• Beschaltung (z. B. Treiber und Absicherung)
• Elektromagnetische Verträglichkeit
• Wandler- und Umrichter-Topologien sowie deren jeweilige Vor- und Nachteile
• Anwendungsbeispiele (Elektromobilität, erneuerbare Energien, Traktion, weiße/braune Ware etc.)
• Wechselwirkung mit anderen Komponenten (z. B. passive Bauelemente, Zwischenkreiskondensatoren, Stromschienen etc.)
• Kostenanalyse
• Normen

Bis zum 03. Juli 2023 können Sie hier Vorschläge einreichen und so aktiv zum Programm beitragen. Bitte senden Sie nur technisch fundierte Beiträge ein; produkt- und marketingbezogene Einreichungen werden nicht berücksichtigt.

Wir freuen uns auf Ihre interessanten Beiträge!

Engelbert Hopf, Markt&Technik
Ralf Higgelke, Design & Elektronik

Bitte halten Sie folgende Informationen zur Einreichung bereit:
- Kontaktdaten und Vita des Referenten
- Titel und Abstract (max. 2000 Zeichen Fließtext)
- Länge der Präsentation (Vortrag 30 min)
- Schlagwörter und Zielgruppe

Wichtige Termine:
03. Juli 2023: Deadline für Abstract-Einreichungen
August 2023: Benachrichtigung der Referenten
08. November 2023: Einreichung Final Paper/Präsentationen